FLASH INFO – Une alliance au sommet dans le monde de l’infiniment petit ? C’est, en quelque sorte, ce qu’ont annoncé le CEA, GlobalFoundries, STMicroelectronics et Soitec, qui se lancent dans « une nouvelle collaboration avec l’intention de définir conjointement la feuille de route de la prochaine génération de la technologie FD-SOI ».
La technologie « fully depleted silicium on insulator » (FD-SOI), ou « silicium sur isolant totalement déplété », consiste à façonner le transistor « non pas dans un bloc de silicium massif mais dans un substrat de silicium ultra-mince, sur une couche d’oxyde isolante », explique le CEA. Développée par Soitec, la technique « apporte des avantages significatifs aux concepteurs et aux systèmes clients », notamment en matière de consommation d’énergie.
Paul Boudre, directeur général de Soitec, se réjouit d’une alliance qui « s’appuie sur la capacité de Soitec à stimuler l’innovation en matière de substrats et à contribuer au lancement d’une nouvelle génération de semi conducteurs servant une grande variété de marchés ». Dans le viseur ? Le secteur automobile, les objets connectés ou encore l’intelligence artificielle.
« Le CEA est très motivé par cette opportunité de préparer une nouvelle génération de technologie FD-SOI offrant des performances supérieures, une consommation énergétique plus faible et des coûts réduits », déclare pour sa part l’administrateur général du CEA François Jacq. Tandis que STMicro salue des technologies « qui permettront à [ses] clients de relever les défis auxquels ils sont confrontés dans leur transition vers une complète numérisation ».